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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 2500 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5851DW | ONSEMI |
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8A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
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| MJE5851G | ONSEMI |
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8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS |
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| MJE5851L | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5851N | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5851S | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5851T | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5851U | MOTOROLA |
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8A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5851U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5851UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5851WD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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