5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE200
MJE200 PDF预览

MJE200

更新时间： 2024-11-01 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJE200 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.33Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

MJE200 数据手册

 浏览型号MJE200的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE200的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE200的Datasheet PDF文件第4页 
MJE200  
Feature  
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
High Current Gain Bandwidth Product : f =65MHz @ I =100mA (Min.)  
Complement to MJE210  
T
C
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
25  
V
8
V
I
5
15  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10mA, I =0  
25  
V
CEO  
CBO  
C
B
I
V
=40V, I =0  
100  
100  
nA  
µA  
CB  
CB  
E
V
=40V, I =0 @ T =125°C  
E
J
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
=8V, I =0  
100  
nA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
V
=1V, I =500mA  
70  
45  
10  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=1V, I =2A  
180  
C
=2V, I =5A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
V
V
V
CE  
C
B
I =2A, I =200mA  
C
C
I =5A, I =1A  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base- Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =5A, I =1A  
2.5  
1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
=1V, I =2A  
C
CE  
CE  
CB  
f
V
V
=10V, I =100mA  
65  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=0.1MHz  
80  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

中文翻译

下载PDF

MJE200 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE200STU ONSEMI

功能相似

 暂无描述
MJE200G ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Power Plastic Transistors

与MJE200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE200_07 ONSEMI

获取价格

 		Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE2003 NJSEMI

获取价格

 		PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
MJE200G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE200STU ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
MJE200STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE200STU_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE200TSTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE205 NJSEMI

获取价格

 		MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS
MJE2050 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-126

与MJE200相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证