5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MJE200STU_NL
MJE200STU_NL PDF预览

MJE200STU_NL

更新时间： 2024-11-21 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJE200STU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：65 MHzBase Number Matches：1

MJE200STU_NL 数据手册

 浏览型号MJE200STU_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE200STU_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE200STU_NL的Datasheet PDF文件第4页 
MJE200  
Feature  
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
High Current Gain Bandwidth Product : f =65MHz @ I =100mA (Min.)  
Complement to MJE210  
T
C
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
25  
V
8
V
I
5
15  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10mA, I =0  
25  
V
CEO  
CBO  
C
B
I
V
=40V, I =0  
100  
100  
nA  
µA  
CB  
CB  
E
V
=40V, I =0 @ T =125°C  
E
J
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
=8V, I =0  
100  
nA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
V
=1V, I =500mA  
70  
45  
10  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=1V, I =2A  
180  
C
=2V, I =5A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
V
V
V
CE  
C
B
I =2A, I =200mA  
C
C
I =5A, I =1A  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base- Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =5A, I =1A  
2.5  
1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
=1V, I =2A  
C
CE  
CE  
CB  
f
V
V
=10V, I =100mA  
65  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=0.1MHz  
80  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

中文翻译

下载PDF

与MJE200STU_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE200TSTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE205 NJSEMI

获取价格

 		MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS
MJE2050 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-126
MJE2055 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-126
MJE205K NJSEMI

获取价格

 		MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS
MJE2090 NJSEMI

获取价格

 		PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
MJE2091 NJSEMI

获取价格

 		PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
MJE2092 NJSEMI

获取价格

 		PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
MJE2093 NJSEMI

获取价格

 		PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
MJE-20A NUVOTEM TALEMA

获取价格

 		T1/E1/CEPT/ISDN-PRI SMD Transformers

与MJE200STU_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证