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MJE210

更新时间： 2024-11-01 22:33:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管放大器局域网
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4页 44K
描述
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MJE210 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.13外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：65 MHzBase Number Matches：1

MJE210 数据手册

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MJE210  
Feature  
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
High Current Gain Bandwidth Product : f =65MHz@I = -100mA (Min.)  
Complement to MJE200  
T
C
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 40  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
- 25  
V
- 8  
V
I
- 5  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
= - 10mA, I = 0  
-25  
V
CEO  
CBO  
C
B
I
V
V
= -40V, I = 0  
-100  
-100  
nA  
µA  
CB  
CB  
E
= - 40V, I =0 @ T = 125°C  
E
J
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= - 8V, I = 0  
-100  
nA  
EBO  
BE  
C
h
h
h
V
V
V
= - 1V, I = - 500mA  
70  
45  
10  
FE1  
CE  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 2A  
180  
FE2  
FE3  
C
= - 2V, I = - 5A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= - 500mA, I = - 50mA  
-0.3  
-0.75  
-1.8  
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= - 2A, I = - 200mA  
C
= - 5A, I = - 1A  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= - 5A, I = - 1A  
-2.5  
-1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
V
V
= - 1V, I = - 2A  
C
CE  
CE  
CB  
f
= - 10V, I = - 100mA  
65  
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, I = 0, f = 1MHz  
120  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234

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