5秒后页面跳转
MJE220 PDF预览

MJE220

更新时间: 2024-11-01 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

MJE220 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.43最大集电极电流 (IC):4 A
基于收集器的最大容量:50 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
VCEsat-Max:2.5 V

MJE220 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

MJE220 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE220LEADFREE CENTRAL

功能相似

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BU406 MOTOROLA

功能相似

7 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 60 WATTS 150 and 200 VOLTS

与MJE220相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE220LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE221 CENTRAL

获取价格

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
MJE221LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE221PBFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,
MJE221TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,
MJE222 CENTRAL

获取价格

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
MJE222LEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
MJE222PBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
MJE223 CENTRAL

获取价格

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
MJE223LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/