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MJE220LEADFREE PDF预览

MJE220LEADFREE

更新时间： 2024-11-02 21:18:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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MJE220LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
最大集电极电流 (IC)：4 A基于收集器的最大容量：50 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

MJE220LEADFREE 数据手册

 浏览型号MJE220LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
MJE220 THRU MJE225  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE220 series  
types are NPN silicon power transistors, manufactured  
by the epitaxial-base process, designed for general  
purpose amplifier and switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MJE220  
MJE221  
MJE222  
60  
MJE223  
MJE224  
MJE225  
80  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
A
W
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
40  
60  
7.0  
4.0  
8.0  
1.0  
1.5  
15  
I
I
I
P
P
B
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
W
C
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
83.4  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Θ
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
8.34  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=7.0V  
100  
100  
100  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
CB  
CB  
EB  
CBO  
CBO  
, T =125°C  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
C
BV  
BV  
I =10mA (MJE220, MJE221, MJE222)  
40  
60  
C
I =10mA (MJE223, MJE224, MJE225)  
C
V
V
V
V
V
V
h
h
h
h
h
h
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.6  
0.8  
2.5  
1.8  
1.5  
200  
150  
C
B
I =1.0A, I =100mA (MJE221, MJE224)  
C
B
B
B
B
I =2.0A, I =200mA (MJE220, MJE223)  
C
I =4.0A, I =1.0A  
C
I =2.0A, I =200mA  
C
V
=1.0V, I =500mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =200mA (MJE220, MJE223)  
40  
40  
25  
20  
10  
20  
C
=1.0V, I =200mA (MJE221, MJE224)  
C
=1.0V, I =200mA (MJE222, MJE225)  
C
=1.0V, I =1.0A (MJE221, MJE224)  
C
=1.0V, I =1.0A (MJE222, MJE225)  
C
=1.0V, I =2.0A (MJE220, MJE223)  
C
f
C
=10V, I =100mA, f=10MHz  
10  
MHz  
pF  
C
=10V, I =0, f=100kHz  
50  
E
R2 (26-November 2012)  
12

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