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MJE200

更新时间： 2024-11-03 14:50:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
18页 494K
描述
25V,5A,1.5W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

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MJE200 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.37Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：45
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

MJE200 数据手册

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MJE200 NPN  
MJE210 PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210  
types are complementary silicon transistors designed  
for high gain amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
8.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
A
C
I
10  
A
CM  
I
1.0  
A
B
P
1.5  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
15  
W
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
83.4  
8.34  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=40V  
100  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=40V, T =125°C  
J
=8.0V  
100  
100  
μA  
nA  
V
BV  
I =10mA  
25  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
V
V
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
V
C
B
I =2.0A, I =200mA  
V
C
B
I =5.0A, I =1.0A  
V
C
B
I =5.0A, I =1.0A  
2.5  
V
C
B
V
=1.0V, I =2.0A  
1.6  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =500mA  
70  
45  
10  
65  
C
=1.0V, I =2.0A  
180  
FE  
C
=2.0V, I =5.0A  
FE  
C
f
=10V, I =100mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=100kHz (MJE200)  
80  
ob  
ob  
E
=10V, I =0, f=100kHz (MJE210)  
120  
pF  
E
R1 (2-May 2012)  
1234567...18

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MJE200 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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