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MH32S64APFB-7

更新时间： 2024-09-16 22:30:11

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
55页	695K
描述
2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH32S64APFB-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.56 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH32S64APFB-7 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH32S64APFB -7,-8

2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 16M x 8 Sy nchronous DRAMs

Small TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

144-pin (72-pin dual in-line package)

The MH32S64APFB is 33554432 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of

sixteen industry standard 16Mx8 Synchronous

DRAMs in Small TSOP and one industory

standard EEPROM in TSSOP.

single 3.3V±0.3V power supply

Clock frequency 100MHz(max.)

The mounting of Small TSOP on a card edge

Dual Inline package provides any application

where high densities and large quantities of

memory are required.

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

6.0ns(CL=3)

-7,-7L

-8,-8L

100MHz

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

PC100 Compliant

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MITSUBISHI

ELECTRIC

MIT-DS-0358-0.2

16.Mar.2000

(

/ 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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与MH32S64APFB-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH32S64APFB-7L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
MH32S64APFB-8	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH32S64APHB-6	MITSUBISHI	获取价格	2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH32S64APHB-7	MITSUBISHI	获取价格	2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH32S64APHB-8	MITSUBISHI	获取价格	2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH32S64PF-6L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144
MH32S64PFJ-5	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
MH32S64PFJ-5L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
MH32S64PFJ-6	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH32S64PFJ-6L	MITSUBISHI	获取价格	2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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