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MH32S64APFB-6L

更新时间： 2024-09-13 19:55:11

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	830K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144

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MH32S64APFB-6L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.016 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.56 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MH32S64APFB-6L 数据手册

MITSUBISHI LSIs

MH32S64APFB -5,-5L,-6,-6L,-7,-7L

2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 16M x 8 Sy nchronous DRAMs

Small TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

The MH32S64APFB is 33554432 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of

sixteen industry standard 16Mx8 Synchronous

DRAMs in Small TSOP and one industory

standard EEPROM in TSSOP.

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

Max. Clock frequency -5,-5L,-6,-6L:133MHz,

-7,7L:100MHz

The mounting of Small TSOP on a card edge

Dual Inline package provides any application

where high densities and large quantities of

memory are required.

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

FEATURES

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

5.4ns (CL=2)

5.4ns (CL=3)

6.0ns (CL=2)

-5,-5L

-6,-6L

-7,-7L

133MHz

100MHz

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

7.Aug.2001

MITSUBISHI

MIT-DS-0358-0.6

ELECTRIC

(

/ 56 )

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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