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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
放大器晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 185K |  |
| 描述 | ||
| RF Power Field-Effect Transistor, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, FM | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MGFS44V2527-01 | MITSUBISHI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFS44V2735 | MITSUBISHI | 2.7-3.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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| MGFS44V2735_11 | MITSUBISHI | 2.7-3.5 GHz BAND / 24W |
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| MGFS44V2735_98 | MITSUBISHI | 2.7-3.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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| MGFS45A2527B | MITSUBISHI | 2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFS45A2527B_11 | MITSUBISHI | 2.5-2.7 GHz BAND / 32W |
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