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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MGFS44V2735 | MITSUBISHI | 2.7-3.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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| MGFS44V2735_11 | MITSUBISHI | 2.7-3.5 GHz BAND / 24W |
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| MGFS44V2735_98 | MITSUBISHI | 2.7-3.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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| MGFS45A2527B | MITSUBISHI | 2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFS45A2527B_11 | MITSUBISHI | 2.5-2.7 GHz BAND / 32W |
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| MGFS45A2527B-01 | MITSUBISHI | Transistor |
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