5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MGFS45V2325
MGFS45V2325 PDF预览

MGFS45V2325

更新时间： 2024-01-19 19:12:17
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
2.3 - 2.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

MGFS45V2325 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：88 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

MGFS45V2325 数据手册

 浏览型号MGFS45V2325的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>  
MGFS45V2325  
2.3~2.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET  
DESCRIPTION  
Until : millimeters (inches)  
OUTLINE DRAWING  
The MGFS45V2325 is an internally impedance matched  
GaAs power FET especially designed for use in 2.3~2.5  
GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic  
package guarantees high reliability.  
24±0.3 (0.945±0.012)  
(0.024±0.006)  
0.6±0.15  
FEATURES  
Class A operation  
R1.2  
Internally matched to 50 (W) system  
High output power  
P1dB=30W (TYP.) @f=2.3~2.5GHz  
High power gain  
GLP=12dB (TYP.) @f=2.3~2.5GHz  
High power added efficiency  
hadd=45% (TYP.) @f=2.3~2.5GHz  
Loe distortion [item -51]  
IM3= -45dBc (TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.  
20.4±0.2 (0.803±0.008)  
16.7 (0.658)  
APPLICATION  
item 01 : 2.3~2.5GHz band power amplifier  
item 51 : 2.3~2.5GHz band digital radio communication  
QUALITY GRADE  
IG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
VDS=10V  
ID=6.5A  
(1) GATE  
(2) Source (FLANGE)  
(3) DRAIN  
GF-38  
RG=25W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)  
< Keep safety first in your circuit designs! >  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
ID  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
-15  
Unit  
V
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into  
making semiconductor products better and more reliable,  
but there is always the possibility that trouble may occur  
with them.Trouble with semiconductors may lead to personal  
injury, fire or property damage. Remember to give due  
consideration to safety when making your circuit designs,  
with appropriate measures such as (i)placement of  
V
-15  
22  
A
-61  
IGR  
IGF  
Reverse gate current  
Forward gate current  
Total power dissipation  
Channel temperature  
mA  
mA  
W
76  
PT  
*1  
88  
Tch  
°C  
175  
substitutive, auxiliary circuits, (ii)use of non-flammable  
material or (iii)prevention against any malfunction or mishap.  
Tstg  
Storage temperature  
-65 ~ +175  
°C  
*1 : Tc=25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
Limits  
Test conditions  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min.  
—
Typ.  
—
Max  
-5  
VGS (off)  
P1dB  
Saturated drain current  
VDS=3V, ID=60mA  
V
Output power at 1dB gain  
compression  
44  
45  
—
dBm  
GLP  
ID  
Linear power gain  
Drain current  
VDS=10V, ID(RF off)=6.5A, f=2.3~2.5GHz  
11  
—
12  
7.5  
45  
—
—
dB  
A
hadd  
IM3  
Power added efficiency  
3rd order IM distortion  
Thermal resistance  
—
—
%
*1  
*2  
-42  
—
-45  
—
—
dBc  
°C/W  
DVf method  
1.7  
Rth (ch-c)  
*1 : item -51, 2 tone test, Po=34.5dBm Single Carrier Level, f=2.3, 2.4, 2.5GHz,Df=5MHz  
*2 : Channel to case  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
12

中文翻译

下载PDF

与MGFS45V2325相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGFS45V2325A MITSUBISHI

获取价格

 		2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
MGFS45V2325A_04 MITSUBISHI

获取价格

 		2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFS45V2325A_11 MITSUBISHI

获取价格

 		2.3-2.5 GHz BAND / 32W
MGFS45V2325A-01 MITSUBISHI

获取价格

 		Transistor
MGFS45V2325A-51 MITSUBISHI

获取价格

 		Transistor
MGFS45V2527 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5 - 2.7GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
MGFS45V2527-01 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFS45V2527A MITSUBISHI

获取价格

 		2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFS45V2527A_11 MITSUBISHI

获取价格

 		2.7-3.5 GHz BAND / 30W
MGFS45V2527A-01 MITSUBISHI

获取价格

 		Transistor

与MGFS45V2325相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证