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MGFS52BN2122A

更新时间: 2024-02-20 16:58:22
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 925K
描述
2.1-2.2 GHz BAND 160W GaAs FET

MGFS52BN2122A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数:5Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:12 V最大漏极电流 (ID):4 A
FET 技术:JUNCTION最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:187.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

MGFS52BN2122A 数据手册

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