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三菱 - MITSUBISHI | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
2页 | 112K | |
描述 | ||
Transistor |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高工作温度: | 175 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 100 W | 子类别: | Other Transistors |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGFS45V2325A-51 | MITSUBISHI |
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Transistor | |
MGFS45V2527 | MITSUBISHI |
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2.5 - 2.7GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET | |
MGFS45V2527-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction | |
MGFS45V2527A | MITSUBISHI |
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2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET | |
MGFS45V2527A_11 | MITSUBISHI |
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2.7-3.5 GHz BAND / 30W | |
MGFS45V2527A-01 | MITSUBISHI |
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Transistor | |
MGFS45V2527A-51 | MITSUBISHI |
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Transistor | |
MGFS45V2735 | MITSUBISHI |
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2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET | |
MGFS45V2735_04 | MITSUBISHI |
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2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET | |
MGFS45V2735_11 | MITSUBISHI |
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2.7-3.5 GHz BAND / 30W |