5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 三菱 - MITSUBISHI |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 156K |  |
| 描述 | ||
| 2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFS45V2735_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFS45V2735_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.7-3.5 GHz BAND / 30W |
|
| MGFS45V2735-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
|
| MGFS45V2735-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
|
| MGFS48B2122 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.11 - 2.17 GHz BAND 60W GaAs FET |
|
| MGFS48B2122_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.11-2.17 GHz BAND / 60W |
|
| MGFS48BK2122A | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFS48V2527 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.5 - 2.7GHz BAND 60W GaAs FET |
|
| MGFS48V2527_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.5 - 2.7GHz BAND 60W GaAs FET |
|
| MGFS52B2122 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2.1 = 2.2 GHz BAND 100W GsAs FET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
