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MGFS45B2527B

更新时间： 2024-10-02 12:20:23

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三菱 - MITSUBISHI		/
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4页	189K
描述
2.5-2.7 GHz BAND / 30W

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MGFS45B2527B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	78 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MGFS45B2527B 数据手册

< L/S band internally matched power GaAs FET >

MGFS45B2527B

2.5 – 2.7 GHz BAND / 30W

DESCRIPTION

The MGFS45B2527B is an internally impedance-matched

GaAs power FET especially designed for use in 2.5 – 2.7

GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic

package guarantees high reliability.

FEATURES

Class AB operation

Internally matched to 50(ohm) system

 High output power

Po(SAT)=30W (TYP.) @f=2.5 – 2.7GHz

 High power gain

GLP=12.5dB (TYP.) @f=2.5 – 2.7GHz

 Distortion

EVM=1.0% (TYP.) @f=2.5 – 2.7GHz, Po=34dBm

EVM=2.0% (TYP.) @f=2.5 – 2.7GHz, Po=37dBm

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

 VDS=12V  ID=0.9A  RG=10ohm

Keep Safety first in your circuit designs!

Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum

effort into making semiconductor products better

and more reliable , but there is always the

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

Gate to drain

VGDO

breakdown voltage

-15

possibility that trouble may occur with them.

Trouble with semiconductors may lead to personal

injury , fire or property damage. Remember to give

due consideration to safety when making your

circuit designs , with appropriate measure such

as (I) placement of substitutive , auxiliary circuits ,

(ii) use of non-flammable material or (iii) prevention

against any malfunction or mishap.

VGSO Gate to source breakdown voltage

MAXID Maximum drain current

-10

PT *1

Tch

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

175

C

Tstg

-55 to +150

*1 : Tc=25C

Electrical characteristics

(Ta=25C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Typ.

Unit

Min.

-0.5

Max.

-3.0

Gate to source cut-off voltage

Output Power

VDS=3V,ID=100mA

VGS(off)

Po(SAT)

VDS=12V,ID(RF off)=0.9A

f=2.5 – 2.7GHz

dBm

GLP

Power Gain

VDS=12V,ID(RF off)=0.9A

f=2.5 – 2.7GHz ,Pout=34dBm

10.0

12.5

1.2

1.0

Drain current

1.5

2.0

1.9

EVM *2

Rth(ch-c) *3

Error Vector Magnitude

Thermal resistance

delta Vf method

1.2

C/W

*2 :WiMAX Downlink, 64QAM-3/4, Channel Bandwidth:6MHz

*3 :Channel-case

Publication Date : Apr., 2011

12 3 4

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