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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 800 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1000 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG100J1ZS40 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100J2YS40 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100J2YS50 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100J2YS91 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100J6ES50 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100J7KS50 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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