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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100N2YS40 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100P12E2 | YANGJIE |
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E2 |
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| MG100Q1JS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1JS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100Q1ZS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1ZS50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2Y | TOSHIBA |
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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. |
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| MG100Q2YK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B1A, 9 PIN, BIP Genera |
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| MG100Q2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG100Q2YS11 | TOSHIBA |
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GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applicat |
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