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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 元件数量： | 2 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100P12E2 | YANGJIE |
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E2 |
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| MG100Q1JS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1JS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100Q1ZS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1ZS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2Y | TOSHIBA |
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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. |
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| MG100Q2YK1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B1A, 9 PIN, BIP Genera |
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| MG100Q2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG100Q2YS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applicat |
|
| MG100Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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