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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 700 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 700 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 600 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG100Q2YS50 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2YS50A | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2YS51 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2YS51A | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q2YS65H | TOSHIBA | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
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| MG100Q2YS9 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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