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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X22 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 22 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100M2YK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B1A, 9 PIN, BIP Genera |
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| MG100M2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG100N2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG100N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG100N2YS40 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100P12E2 | YANGJIE |
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E2 |
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| MG100Q1JS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1JS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100Q1ZS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100Q1ZS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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