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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9 |
| 针数： | 9 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 880 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X9 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 9 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KD421K10 | POWEREX |
功能相似  |
Dual Darlington Transistor Module (100 Amperes/1000 Volts) |
|
| 2DI100Z-100 | FUJI |
功能相似 |
POWER TRANSISTOR MODULE |
|
| SK100DB100D | SEMIKRON |
功能相似 |
NPN POWER DARLUNGTON MODULES 100A 1000V |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100M2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG100N2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG100N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG100N2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100P12E2 | YANGJIE |
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E2 |
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| MG100Q1JS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG100Q1JS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG100Q1ZS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG100Q1ZS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG100Q2Y | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. |
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