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MG100J2YS40

更新时间: 2024-02-13 06:47:35
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东芝 - TOSHIBA 局域网双极性晶体管功率控制
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1页 47K
描述
TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG100J2YS40 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
其他特性:HIGH SPEED最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):350 nsJESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:3.5 VBase Number Matches:1

MG100J2YS40 数据手册

  

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