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MG100J2YS50

更新时间: 2024-09-21 22:08:59
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 303K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG100J2YS50 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):100 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间(tf):300 ns
门极发射器阈值电压最大值:8 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:450 W最大功率耗散 (Abs):450 W
认证状态:Not Qualified最大上升时间(tr):240 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):500 ns标称接通时间 (ton):400 ns
VCEsat-Max:2.7 VBase Number Matches:1

MG100J2YS50 数据手册

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