5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 8 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 450 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 450 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 240 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM400DY-12H | MITSUBISHI |
功能相似  |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM100DY-12H | MITSUBISHI |
功能相似 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM400DU-12H | MITSUBISHI |
功能相似 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100J2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG100J6ES50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG100J7KS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG100M2YK1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B1A, 9 PIN, BIP Genera |
|
| MG100M2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG100N2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG100N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG100N2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG100P12E2 | YANGJIE |
获取价格 |
E2 |
|
| MG100Q1JS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
