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MG100J6ES50

更新时间： 2024-09-21 22:07:39

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
6页	312K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG100J6ES50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
针数：	19	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X19	元件数量：	6
端子数量：	19	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	450 W
最大功率耗散 (Abs)：	450 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	240 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	400 ns	标称断开时间 (toff)：	200 ns
最大开启时间（吨）：	160 ns	标称接通时间 (ton)：	80 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG100J7KS50	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG100M2YK1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B1A, 9 PIN, BIP Genera
MG100M2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG100N2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG100N2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG100N2YS40	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG100P12E2	YANGJIE	获取价格	E2
MG100Q1JS40	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG100Q1JS9	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG100Q1ZS40	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)