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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 550 V |
| 配置： | 2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG100H2DL21 | TOSHIBA |
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MG100H2DL21 |
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| MG100H2YL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 550 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-96A1A, 9 PIN, BIP General |
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| MG100H2YS1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-94C1A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100HF12LEC1 | YANGJIE |
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C1 |
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| MG100HF12MRC1 | YANGJIE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| MG100HF12TFC1 | YANGJIE |
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C1 |
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| MG100HF12TLC1 | YANGJIE |
获取价格 |
C1 |
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| MG100J1BS11 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100J1ZS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG100J2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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