是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.8 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 |
最大非重复峰值正向电流: | 4700 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 165 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1400 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDD142-16N1 | IXYS |
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HIgh Power Diode Modules | |
MDD142-16N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD142-18N1 | IXYS |
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HIgh Power Diode Modules | |
MDD142-18N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD14N25C | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28(ohm) | |
MDD14N25CRH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28(ohm) | |
MDD1501 | MGCHIP |
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Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6m(ohm) | |
MDD1501RH | MGCHIP |
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Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6m(ohm) | |
MDD1502 | MGCHIP |
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Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m(ohm) | |
MDD1502RH | MGCHIP |
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Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m(ohm) |