是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-XUFM-X3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.15 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流: | 6600 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 190 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1400 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MDD172-16N1 | IXYS |
类似代替 |
High Power Diode Modules |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDD172-16N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD172-16N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD172-18N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD172-18N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD1752 | MGCHIP |
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N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) | |
MDD175-28N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 175A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-3 | |
MDD175-28N1 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 175A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-3 | |
MDD1752RH | MGCHIP |
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N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) | |
MDD175-34N1 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 175A, 3400V V(RRM), Silicon, MODULE-3 | |
MDD175-34N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 |