MDD200-16N1

更新时间： 2024-11-20 12:02:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		整流二极管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	138K
描述
High Power Diode Modules DC supply for PWM inverter

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MDD200-16N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	R-XUFM-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	HIGH POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	9700 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	224 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MDD200-16N1 数据手册

MDD 200

I_FRSM

I_FAVM

2x 350 A

2x 224 A

High Power

Diode Modules

V_RRM= 1400-2200 V

V_RSM

V_RRM

Type

1500

1700

1900

2300

1400

1600

1800

2200

MDD 200-14N1

MDD 200-16N1

MDD 200-18N1

MDD 200-22N1

E72873

Features

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

• International standard package

• Direct copper bonded Al₂O₃ceramic

with copper base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

350

224

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

V_R= 0

10500

11200

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

9100

9700

Applications

I²t

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

551000

527000

A²s

• Supplies for DC power equipment

• DC supply for PWM inverter

• Field supply for DC motors

• Battery DC power supplies

V_R= 0

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

414000

395000

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Space and weight savings

• Simple mounting

•Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL< 1 mA t = 1 s

3000

3600

M_d

Mounting torque (M6)

Terminal connection torque (M6)

2.25 - 2.75

4.5 - 5.5

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)

Weight

Typical including screws

120

Symbol

I_RRM

Conditions

Characteristics Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= T_VJM

V_F

I_F= 300 A;

T_VJ= 25°C

1.3

V_T0

r_t

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

0.6

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.130 K/W

0.065 K/W

0.230 K/W

0.115 K/W

R_thJK

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 300 A; -di/dt = 50 A/µs

625

275

µC

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Maximum allowable acceleration

12.7

9.6

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080128a

1 - 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与MDD200-16N1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD200-18N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules DC supply for PWM inverter
MDD200-18N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD200-22N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules DC supply for PWM inverter
MDD200-22N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD220	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD220-06N1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 270A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD220-08N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD220-12N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD220-14N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD220-16N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules

与MDD200-16N1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MDD200-16N1

MDD200-16N1 技术参数

MDD200-16N1 数据手册

与MDD200-16N1相关器件

与MDD200-16N1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MDD200-16N1

MDD200-16N1 技术参数

MDD200-16N1 数据手册

与MDD200-16N1相关器件

与MDD200-16N1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？