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MDD220-12N1

更新时间： 2024-11-17 22:46:19

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IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
High Power Diode Modules

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MDD220-12N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	HIGH POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	8000 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	270 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MDD220-12N1 数据手册

MDD 220

I_FRMS= 2x450 A

I_FAVM= 2x270 A

V_RRM= 800-1800 V

High Power

Diode Modules

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MDD 220-08N1

MDD 220-12N1

MDD 220-14N1

MDD 220-16N1

MDD 220-18N1

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

450

270

• Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

• UL registered, E 72873

I_FSM

T_VJ= 45°C;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

8500

9000

V_R= 0

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

7500

8000

Applications

∫i²dt

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

360 000

340 000

A²s

• Supplies for DC power equipment

• DC supply for PWM inverter

• Field supply for DC motors

• Battery DC power supplies

V_R= 0

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

280 000

260 000

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Space and weight savings

• Simple mounting

• Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M8)

2.5-5/22-44 Nm/lb.in.

12-15/106-132 Nm/lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

Typical including screws

320

Symbol

I_RRM

Test Conditions

Characteristic Values

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

I_F= 600 A; T_VJ= 25°C

40 mA

V_F

1.4

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.75

0.9 mΩ

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.129 K/W

0.065 K/W

0.169 K/W

0.0845 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C, I_F= 400 A; -di/dt = 50 A/µs

760

275

µC

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Maximum allowable acceleration

12.7 mm

9.6 mm

50 m/s²

Threaded spacer for higher Anode/Cathode

construction: Type ZY 250, material brass

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 3

12 3

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MDD2310	MDD	获取价格	SOT-23
MDD250	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD250-06N1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 290A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD250-08N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD250-12N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
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