MDD250-14N1

更新时间： 2024-11-17 22:46:19

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High Power Diode Modules

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MDD250-14N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	11000 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	290 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MDD250-14N1 数据手册

MDD 250

I_FRMS= 2x 450 A

I_FAVM= 2x 290 A

V_RRM= 800-1600 V

High Power

Diode Modules

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

800

1200

1400

1600

MDD 250-08N1

MDD 250-12N1

MDD 250-14N1

MDD 250-16N1

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

Planar passivated chips

Isolation voltage 3600 V~

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

450

290

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

11 000

11 700

●

UL registered, E 72873

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

9000

9600

Applications

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

●

òi²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

605 000

560 000

A²s

●

A²s

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

405 000

380 000

A²s

●

Battery DC power supplies

Advantages

Space and weight savings

Simple mounting

Improved temperature and power

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

●

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

cycling

Reduced protection circuits

●

I_ISOL£ 1 mA

M_d

Mounting torque (M5)

2.5-5/22-44 Nm/lb.in.

Terminal connection torque (M8)

12-15/106-132 Nm/lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

Typical including screws

320

Symbol

I_RRM

Test Conditions

Characteristic Values

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

40 mA

V_F

I_F= 600 A; T_VJ= 25°C

1.3

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.75

0.75 mW

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.129 K/W

0.065 K/W

0.169 K/W

0.0845 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C, I_F= 400 A; -di/dt = 50 A/ms

760

275

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Maximum allowable acceleration

12.7 mm

9.6 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

Threaded spacer for higher Anode/Cathode

construction: Type ZY 250, material brass

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD250-16N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD255	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD255-12IO1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 268A, 1200V V(RRM),
MDD255-12IO1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 268A, 1200V V(RRM),
MDD255-12N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD255-12N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD255-14IO1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 268A, 1400V V(RRM),
MDD255-14N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD255-14N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
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