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MDD255-18N1

更新时间： 2024-11-17 22:09:19

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IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
High Power Diode Modules

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MDD255-18N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-XUFM-X3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	9500 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	270 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MDD255-18N1 数据手册

MDD 255

I_FRMS= 2x 450 A

I_FAVM= 2x 270 A

V_RRM= 1200-2200 V

High Power

Diode Modules

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

1300

1500

1700

1900

2100

2300

1200

1400

1600

1800

2000

2200

MDD 255-12N1

MDD 255-14N1

MDD 255-16N1

MDD 255-18N1

MDD 255-20N1

MDD 255-22N1

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

International standard package

Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

450

270

●

with copper base plate

Planar passivated chips

Isolation voltage 3600 V~

UL registered E 72873

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

9500

10200

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

8400

9000

Applications

òi²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

451 000

437 000

A²s

●

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

Battery DC power supplies

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

353 000

340 000

A²s

●

Advantages

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

●

Simple mounting

Improved temperature and power

●

cycling

Reduced protection circuits

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

●

I_ISOL£ 1 mA

M_d

Mounting torque (M6)

Terminal connection torque (M8)

Typical including screws

4.5-7/40-62 Nm/lb.in.

11-13/97-115 Nm/lb.in.

Weight

750

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_RRM

Test Conditions

Characteristic Values

M8x20

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

V_F

I_F= 600 A; T_VJ= 25°C

1.4

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

0.6

R_thJC

R_thJK

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.140

0.07

0.18

0.09

K/W

other values

see MCC 255

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 400 A; -di/dt = 50 A/ms

700

260

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Maximum allowable acceleration

12.7

9.6

m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 3

12 3

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