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| 力特 - LITTELFUSE |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 164K |  |
| 描述 | ||
| 双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-XUFM-X3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流： | 9500 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 270 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 2000 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDD255-22N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules |
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| MDD255-22N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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| MDD26 | IXYS |
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Diode Modules |
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| MDD26-04N1B | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 36A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| MDD26-06N1 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 36A, 600V V(RRM), |
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| MDD26-06N1 | IXYS |
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Rectifier Diode, 36A, 600V V(RRM), |
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| MDD26-06N1B | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 36A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| MDD26-08N1 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 36A, 800V V(RRM), |
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| MDD26-08N1B | IXYS |
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Diode Modules |
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| MDD26-08N1B | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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