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MDD1502

更新时间： 2024-10-30 01:22:59

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美格纳 - MGCHIP		/
页数	文件大小	规格书
6页	666K
描述
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m(ohm)

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MDD1502 数据手册

May.ꢀ2011.ꢀVersionꢀ1.2ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.

ꢀ

ꢀ ꢀ

ꢀ

MDD1502

ꢀ ꢀ ꢀ SingleꢀNꢁchannelꢀTrenchꢀMOSFETꢀ30V,ꢀ45.7A,ꢀ8.5mꢂ

GeneralꢀDescriptionꢀ

Featuresꢀ

ꢀ

Theꢀ MDD1502ꢀ usesꢀ advancedꢀ MagnaChip’sꢀ MOSFETꢀ

Technology,ꢀwhichꢀprovidesꢀhighꢀperformanceꢀinꢀonꢁstateꢀ

resistance,ꢀ fastꢀ switchingꢀ performanceꢀ andꢀ excellentꢀ

quality.ꢀ ꢀ MDD1502ꢀ isꢀ suitableꢀ deviceꢀ forꢀ DCꢀ toꢀ DCꢀ

converterꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ30Vꢀ

I_Dꢀ=ꢀ45.7Aꢀ@V_GSꢀ=ꢀ10Vꢀ

R_{DS(ON)ꢀ(MAX)}

<ꢀ8.5mꢀꢀ@V_GSꢀ=ꢀ10Vꢀ

<ꢀ13.0mꢀꢀ@V_GSꢀ=ꢀ4.5Vꢀ

100%ꢀUILꢀTestedꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ꢀꢀ

100%ꢀRgꢀTestedꢀ

ꢀ

AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25^oC)ꢀ ꢀ

ꢀ

Characteristicsꢀ

Symbolꢀ

V_DSS

V_GSS

Ratingꢀ

30ꢀ

Unitꢀ

Vꢀ

ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ

ꢀ

±20ꢀ

Vꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

45.7ꢀ

36.6ꢀ

20.4⁽³⁾

16.3⁽³⁾

100ꢀ

ꢀ T_C=70^oCꢀ

T_A=25^oCꢀ

T_A=70^oCꢀ

ꢀ ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ⁽¹⁾

ꢀ

I_Dꢀ

Aꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ

I_DMꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

ꢀ T_C=70^oCꢀ

T_A=25^oCꢀ

T_A=70^oCꢀ

31.2ꢀ

20.0ꢀ

ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ

P_Dꢀ

Wꢀ

6.2⁽³⁾

4.0⁽³⁾

47ꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergyꢀ⁽²⁾

ꢀ

E_AS

ꢀ

mJꢀ

ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ

T_J,ꢀT_stg

ꢀ

ꢁ55~150ꢀ

^oC

ꢀ

ThermalꢀCharacteristicsꢀ

ꢀ

Characteristicsꢀ

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ⁽¹⁾

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ

Symbolꢀ

R_θJA

R_θJC

Ratingꢀ

20.0ꢀ

4.0ꢀ

Unitꢀ

ꢀ

^oC/Wꢀ

ꢀ

12 3 4 5 6

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与MDD1502相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD1502RH	MGCHIP	获取价格	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m(ohm)
MDD1503	MGCHIP	获取价格	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m(ohm)
MDD1503RH	MGCHIP	获取价格	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m(ohm)
MDD1504	MGCHIP	获取价格	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m(ohm)
MDD1504RH	MGCHIP	获取价格	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m(ohm)
MDD172	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-06N1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 190A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD172-08N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-08N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD172-12N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules

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