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MDD1504RH

更新时间： 2024-10-30 01:22:59

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美格纳 - MGCHIP		/
页数	文件大小	规格书
6页	667K
描述
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m(ohm)

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MDD1504RH 数据手册

ꢀ

ꢀ ꢀ

ꢀ

MDD1504

ꢀ ꢀ SingleꢀNꢁchannelꢀTrenchꢀMOSFETꢀ30V,ꢀ31.5A,ꢀ12.7mꢂ

ㄹꢀ

ꢀ

GeneralꢀDescriptionꢀ

ꢀ

Featuresꢀ

ꢀ

Theꢀ MDD1504ꢀ usesꢀ advancedꢀ MagnaChip’sꢀ MOSFETꢀ

Technology,ꢀwhichꢀprovidesꢀhighꢀperformanceꢀinꢀonꢁstateꢀ

resistance,ꢀ fastꢀ switchingꢀ performanceꢀ andꢀ excellentꢀ

quality.ꢀ ꢀ MDD1504ꢀ isꢀ suitableꢀ deviceꢀ forꢀ DCꢀ toꢀ DCꢀ

converterꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ30Vꢀ

I_Dꢀ=ꢀ31.5Aꢀ@V_GSꢀ=ꢀ10Vꢀ

R_{DS(ON)ꢀ(MAX)}

<ꢀ12.7mꢀꢀ@V_GSꢀ=ꢀ10Vꢀ

<ꢀ18.8mꢀꢀ@V_GSꢀ=ꢀ4.5Vꢀ

100%ꢀUILꢀTestedꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ꢀꢀ

100%ꢀRgꢀTestedꢀ

ꢀ

AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25^oC)ꢀ ꢀ

ꢀ

Characteristicsꢀ

Symbolꢀ

V_DSS

V_GSS

Ratingꢀ

30ꢀ

Unitꢀ

Vꢀ

ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ

ꢀ

±20ꢀ

Vꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

31.5ꢀ

25.1ꢀ

17.2⁽³⁾

ꢀ T_C=70^oCꢀ

T_A=25^oCꢀ

T_A=70^oCꢀ

ꢀ ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ⁽¹⁾

ꢀ

I_Dꢀ

Aꢀ

ꢀ

13.8³⁾ꢀ

ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ

I_DMꢀ

100ꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

ꢀ T_C=70^oCꢀ

T_A=25^oCꢀ

T_A=70^oCꢀ

20.8ꢀ

13.3ꢀ

ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ

P_Dꢀ

Wꢀ

6.2⁽³⁾

4.0⁽³⁾

23ꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergyꢀ⁽²⁾

ꢀ

E_AS

ꢀ

mJꢀ

ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ

T_J,ꢀT_stg

ꢀ

ꢁ55~150ꢀ

^oC

ꢀ

ThermalꢀCharacteristicsꢀ

ꢀ

Characteristicsꢀ

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ⁽¹⁾

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ

Symbolꢀ

R_θJA

R_θJC

Ratingꢀ

20.0ꢀ

6.0ꢀ

Unitꢀ

ꢀ

^oC/Wꢀ

ꢀ

May.ꢀ2011.ꢀVersionꢀ1.2ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.

12 3 4 5 6

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与MDD1504RH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD172	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-06N1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 190A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD172-08N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-08N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD172-12N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-12N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD172-14N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-14N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD172-16N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD172-16N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。

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