5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流： | 4700 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 165 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDD142-08N1 | IXYS |
获取价格 |
HIgh Power Diode Modules |
|
| MDD142-08N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
|
| MDD142-12N1 | IXYS |
获取价格 |
HIgh Power Diode Modules |
|
| MDD142-12N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
|
| MDD142-14N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 165A, 1400V V(RRM), Silicon, |
|
| MDD142-14N1 | IXYS |
获取价格 |
HIgh Power Diode Modules |
|
| MDD142-16N1 | IXYS |
获取价格 |
HIgh Power Diode Modules |
|
| MDD142-16N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
|
| MDD142-18N1 | IXYS |
获取价格 |
HIgh Power Diode Modules |
|
| MDD142-18N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
