MDD142-08N1

更新时间： 2024-10-28 21:54:47

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描述
HIgh Power Diode Modules

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MDD142-08N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-XUFM-X3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	4700 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	165 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MDD142-08N1 数据手册

MDD 142

I_FRMS= 2x 300 A

I_FAVM= 2x 165 A

V_RRM= 800-1800 V

High Power

Diode Modules

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MDD 142-08N1

MDD 142-12N1

MDD 142-14N1

MDD 142-16N1

MDD 142-18N1

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

International standard package

Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

Planar passivated chips

Isolation voltage 3600 V~

UL registered, E 72873

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

300

165

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

4700

5000

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

4100

4300

●

òi²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

110 000

104 000

A²s

Applications

●

A²s

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

Battery DC power supplies

●

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

84 000

77 000

A²s

●

V_R= 0

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

●

Space and weight savings

Simple mounting

Improved temperature and power

●

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

●

I_ISOL£ 1 mA

cycling

Reduced protection circuits

M_d

Mounting torque (M6)

Terminal connection torque (M6)

2.25-2.75/20-25 Nm/lb.in.

4.5-5.5/40-48 Nm/lb.in.

●

Weight

Typical including screws

120

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

20 mA

V_F

I_F= 300 A; T_VJ= 25°C

1.3

0.8

1.3 mW

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 300 A, -di/dt = 50 A/ms

550

235

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.21 K/W

0.105 K/W

0.31 K/W

0.155 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Maximum allowable acceleration

12.7 mm

9.6 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MDD142-12N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD142-14N1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 165A, 1400V V(RRM), Silicon,
MDD142-14N1	IXYS	获取价格	HIgh Power Diode Modules
MDD142-16N1	IXYS	获取价格	HIgh Power Diode Modules
MDD142-16N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
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