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MC-458CB646EFB-A80

更新时间： 2024-11-26 11:11:15
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 143K
描述
8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE

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MC-458CB646EFB-A80 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM168
针数：168Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.28
风险等级：5.79访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：125 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度：64
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.004 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MC-458CB646EFB-A80 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
MC-458CB646  
8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE  
UNBUFFERED TYPE  
Description  
The MC-458CB646EFB, MC-458CB646PFB and MC-458CB646XFB are 8,388,608 words by 64 bits synchronous  
dynamic RAM module on which 4 pieces of 128M SDRAM: µPD45128163 are assembled.  
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-  
mounting technology on the printed circuit board.  
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.  
Features  
• 8,388,608 words by 64 bits organization  
• Clock frequency and access time from CLK  
Part number  
MC-458CB646EFB-A80  
MC-458CB646EFB-A10  
/CAS latency  
Clock frequency  
(MAX.)  
Access time from CLK  
(MAX.)  
6 ns  
6 ns  
6 ns  
7 ns  
6 ns  
6 ns  
6 ns  
7 ns  
6 ns  
6 ns  
6 ns  
7 ns  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
125 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
77 MHz  
125 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
77 MHz  
MC-458CB646PFB-A80  
MC-458CB646PFB-A10  
MC-458CB646XFB-A80  
MC-458CB646XFB-A10  
125 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
77 MHz  
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge  
• Pulsed interface  
• Possible to assert random column address in every cycle  
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)  
• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)  
• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)  
• Programmable /CAS latency (2, 3)  
• Automatic precharge and controlled precharge  
• CBR (Auto) refresh and self refresh  
• All DQs have 10 Ω ± 10 % of series resistor  
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for  
availability and additional information.  
Document No. E0063N10 (1st edition)  
This product became EOL in March, 2004.  
(Previous No. M13049EJ8V0DS00)  
Date Published January 2001 CP (K)  
Printed in Japan  
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.  
1234567...16

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与MC-458CB646EFB-A80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC-458CB646F-A10 ELPIDA

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 		Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
MC-458CB646F-A80 NEC

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 		Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
MC-458CB646F-A80 RENESAS

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 		MEMORY MODULE,SDRAM,8MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
MC-458CB646LFA-A10 RENESAS

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