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MC-458CD641LS-A80

更新时间： 2024-11-26 19:59:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	141K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, 31.75 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, DIMM-144

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MC-458CD641LS-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MC-458CD641LS-A80 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-458CD641LS

8M-WORD BY 64-BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

Description

The MC-458CD641LS is a 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module (Small Outline DIMM) on

which 8 pieces of 64M SDRAM: µPD4564163 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 8,388,608 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number

/CAS latency

CL = 3

Clock frequency (MAX.)

125 MHz

Access time from CLK (MAX.)

MC-458CD641LS-A80

6 ns

7 ns

6 ns

7 ns

CL = 2

100 MHz

MC-458CD641LS-A10

MC-458CD641LS-A80L

MC-458CD641LS-A10L

CL = 3

100 MHz

CL = 2

77 MHz

CL = 3

125 MHz

•

CL = 2

100 MHz

CL = 3

100 MHz

CL = 2

77 MHz

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0, BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• Single 3.3V ±0.3V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

The mark • shows major revised points.

Document No. M13949EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published March 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7...16

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