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MC-45D16CB641KF-C75

更新时间： 2024-11-26 07:03:15

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尔必达 - ELPIDA		双倍数据速率
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描述
16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE

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MC-45D16CB641KF-C75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	,
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL

MC-45D16CB641KF-C75 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-45D16CB641

16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-45D16CB641 is a 16,777,216 words by 64 bits DDR synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces

of 128M DDR SDRAM: µPD45D128842 are assembled.

These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency

Part number

MC-45D16CB641KF-C75

MC-45D16CB641KF-C80

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Module type

CL = 2.5

CL = 2

133 MHz

100 MHz

125 MHz

100 MHz

DDR SDRAM

Unbuffered DIMM

Design specification

Rev.0.9 compliant

CL = 2.5

CL = 2

• Fully Synchronous Dynamic RAM with all signals except DM, DQS and DQ referenced to a positive clock edge

• Double Data Rate interface

Differential CLK (/CLK) input

Data inputs and DM are synchronized with both edges of DQS

Data outputs and DQS are synchronized with a cross point of CLK and /CLK

• Quad internal banks operation

• Possible to assert random column address in every clock cycle

• Programmable Mode register set

/CAS latency (2, 2.5)

Burst length (2, 4, 8)

Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• 2.5 V ± 0.2 V Power supply for V

^DDQ

• SSTL_2 compatible with all signals

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Precharge command and Burst stop command

• 184-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0034N10 (1st edition)

(Previous No. M14897EJ2V0DS00)

Date Published January 2001 CP (K)

Printed in Japan

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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