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MC-458CB646F-A80

更新时间： 2024-11-04 19:54:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	144K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

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MC-458CB646F-A80 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.58
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-458CB646F-A80 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-458CB646

8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-458CB646 is a 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of 64 M

SDRAM: µPD4564841 (Revision E) are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 8,388,608 words by 64 bits organization

• Clock frequency and clock access time

★

Family

MC-458CB646-A80

MC-458CB646-A10

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Clock access time

Power consumption (MAX.)

(MAX.)

6 ns

Active

Standby

14.4 mW

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

125 MHz

100 MHz

77 MHz

3,888 mW

3,744 mW

3,888 mW

3,744 mW

6 ns

(CMOS level input )

6 ns

7 ns

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and full page

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. M13049EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published April 1998 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1997

12 3 4 5 6 7...16

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MC-458CB646PFB-A10	ELPIDA	获取价格	8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
MC-458CB646PFB-A10	NEC	获取价格	8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
MC-458CB646PFB-A80	NEC	获取价格	8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
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