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MC-458CB646F-A80

更新时间： 2024-11-26 19:54:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 144K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

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MC-458CB646F-A80 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DIMM
包装说明：,针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.58
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX64
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MC-458CB646F-A80 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
MC-458CB646  
8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE  
UNBUFFERED TYPE  
Description  
The MC-458CB646 is a 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of 64 M  
SDRAM: µPD4564841 (Revision E) are assembled.  
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-  
mounting technology on the printed circuit board.  
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.  
Features  
• 8,388,608 words by 64 bits organization  
• Clock frequency and clock access time  
★
Family  
MC-458CB646-A80  
MC-458CB646-A10  
/CAS latency  
Clock frequency  
(MAX.)  
Clock access time  
Power consumption (MAX.)  
(MAX.)  
6 ns  
Active  
Standby  
14.4 mW  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
125 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
77 MHz  
3,888 mW  
3,744 mW  
3,888 mW  
3,744 mW  
6 ns  
(CMOS level input )  
6 ns  
7 ns  
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge  
• Pulsed interface  
• Possible to assert random column address in every cycle  
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)  
• Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and full page  
• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)  
• Programmable /CAS latency (2, 3)  
• Automatic precharge and controlled precharge  
• CBR (Auto) refresh and self refresh  
• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor  
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply  
• LVTTL compatible  
• 4,096 refresh cycles/64 ms  
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command  
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)  
• Unbuffered type  
• Serial PD  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. M13049EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published April 1998 NS CP(K)  
Printed in Japan  
The mark • shows major revised points.  
1997  
©
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC-458CB646LFA-A10 RENESAS

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 		MEMORY MODULE,SDRAM,8MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
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 		Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, DIMM-168
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 		8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
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