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MBR830

更新时间： 2024-09-17 11:11:39
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虹扬 - HY 二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR830 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBR830 数据手册

 浏览型号MBR830的Datasheet PDF文件第2页 
MBR830 thru MBR8100  
REVERSE VOLTAGE - 30 to 100Volts  
FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
TO-220AC  
FEATURES  
.187(4.7)  
●Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction  
.108  
(2.75)  
.148(3.8)  
.055(1.4)  
.047(1.2)  
.153(3.9)  
.146(3.7)  
.413(10.5)  
.374(9.5)  
●Guard ring for transient protection  
●Low power loss,high efficiency  
●High current capability,low VF  
.270(6.9)  
.230(5.8)  
●High surge capacity  
●Plastic package has UL flammability  
.610(15.5)  
.583(14.8)  
classification 94V-0  
●For use in low voltage,high frequency inverters,free  
wheeling,and polarity protection applications  
.04 MAX  
(1.0)  
.157  
(4.0)  
.583(14.8)  
.531(13.5)  
.051  
(1.3)  
MECHANICAL DATA  
●Case: TO-220AC molded plastic  
●Polarity: As marked on the body  
●Weight: 0.08ounces,2.24 grams  
●Mounting position :Any  
.043(1.1)  
.032(0.8)  
.024(0.6)  
.012(0.3)  
.102(2.6)  
.091(2.3)  
.126  
(3.2)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL MBR830 MBR840 MBR850 MBR860 MBR880 MBR8100  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
8.0  
A
Rectified Current ( See Fig.1)  
Peak Forward Surge Current  
IFSM  
150  
A
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)  
0.70  
0.57  
0.84  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.75  
0.95  
0.1  
Peak Forward Voltage (Note1)  
IF=8A @TJ=25℃  
IF=8A @TJ=125℃  
IF=16A @TJ=25℃  
@TJ=25℃  
VF  
IR  
V
0.1  
15  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Bolcking Voltage  
mA  
10  
@TJ=125℃  
250  
3.0  
280  
2.0  
Typical Junction Capacitance (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RθJC  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
-55 to +150  
-55 to +175  
TSTG  
℃
NOTES:1.300us pulse width,2% duty cycle.  
2.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to case.  
~ 228 ~  
12

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