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MBR835

更新时间： 2024-09-17 04:16:39
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安森美 - ONSEMI 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
4页 138K
描述
Axial Lead Rectifiers

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MBR835 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.54
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：R-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：140 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR835 数据手册

 浏览型号MBR835的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR835的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBR835的Datasheet PDF文件第4页 
MBR835, MBR840, MBR845  
Preferred Devices  
Axial Lead Rectifiers  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area  
metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features  
epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap  
contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage,  
high−frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity  
protection diodes.  
http://onsemi.com  
• High Current Capability  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction  
• Low Power Loss/High Efficiency  
• Highly Stable Oxide Passivated Junction  
• Guard−Ring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage  
8.0 AMPERES  
• High Surge Capacity  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 1.1 gram (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
220°C Max. for 10 Seconds, 1/16″ from case  
• Shipped in plastic bags, 500 per bag  
• Available Tape and Reeled, 1500 per reel, by adding a “RL’’ suffix to  
the part number  
AXIAL LEAD  
CASE 267−05  
(DO−201AD)  
STYLE 1  
MARKING DIAGRAM  
MBR8xx  
• Polarity: Cathode indicated by Polarity Band  
• ESD Protection: Human Body Model > 4000 V (Class 3)  
ESD Protection: Machine Model > 400 V (Class C)  
MBR8xx = Device Code  
xx  
= 35, 40 or 45  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
V
RRM  
RWM  
Device  
Package  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Axial Lead  
Shipping  
MBR835  
500 Units/Bag  
1500/Tape & Reel  
500 Units/Bag  
R
MBR835  
MBR840  
MBR845  
35  
40  
45  
MBR835RL  
MBR840  
Average Rectified Forward Current  
I
8.0  
A
A
O
MBR840RL  
MBR845  
1500/Tape & Reel  
500 Units/Bag  
T = 75°C (Psi = 12°C/W,  
L
JL  
P.C. Board Mounting, see Note 2)  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
140  
FSM  
MBR845RL  
1500/Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +125  
°C  
stg  
(Reverse Voltage Applied)  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
10  
V/ns  
R
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 2  
MBR835/D  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR835(TO-220A) CJ

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 		Rectifier Diode,
MBR835RL ONSEMI

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