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MBR830MFST1G PDF预览

MBR830MFST1G

更新时间： 2024-09-18 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
SWITCHMODE Power Rectifiers

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MBR830MFST1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.56其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：200 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MBR830MFST1G 数据手册

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MBR830MFS, NRVB830MFS  
SWITCHMODE  
Power Rectifiers  
These state−of−the−art devices have the following features:  
Features  
• Low Power Loss / High Efficiency  
http://onsemi.com  
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After  
Board Mounting  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Guardring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage  
• 150°C Operating Junction Temperature  
• Wettable Flacks Option Available  
8 AMPERES  
30 VOLTS  
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
5,6  
1,2,3  
• These are Pb−Free and Halide−Free Devices  
MARKING  
DIAGRAM  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
A
C
C
1
A
A
B830  
AYWZZ  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 2  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
Not Used  
260°C Max. for 10 Seconds  
• Device Meets MSL 1 Requirements  
B830  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
MAXIMUM RATINGS  
W
= Work Week  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
ZZ  
= Lot Traceability  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
V
RWM  
V
30  
R
ORDERING INFORMATION  
Average Rectified Forward Current  
I
8.0  
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 143°C)  
R
C
Device  
Package  
Shipping†  
Peak Repetitive Forward Current,  
I
16  
FRM  
MBR830MFST1G  
SO−8 FL  
1500 /  
(Rated V , Square Wave,  
R
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
20 kHz, T = 143°C)  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
A
MBR830MFST3G  
SO−8 FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
FSM  
NRVB830MFST1G SO−8 FL  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +150  
−40 to +150  
100  
°C  
°C  
mJ  
stg  
NRVB830MFST3G SO−8 FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
Operating Junction Temperature  
T
J
Unclamped Inductive Switching  
Energy (10 mH Inductor,  
Non−repetitive)  
E
AS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
ESD Rating (Human Body Model)  
ESD Rating (Machine Model)  
3B  
M4  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NOTE: The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: dPD/dTJ < 1/RJA.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
October, 2013 − Rev. 0  
MBR830MFS/D  
1234

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MBR830MFST1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NRVB830MFST1G ONSEMI

完全替代

 SWITCHMODE Power Rectifiers
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