是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,32 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.53 | 最长访问时间: | 55 ns |
备用内存宽度: | 8 | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,7 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 组织: | 256KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV400BC-55PCV | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-55PF | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-55PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-55PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-55PW | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-55PW | FUJITSU |
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Flash, 256KX16, 55ns, PBGA48, PLASTIC, CSP-48 | |
MBM29LV400BC-70 | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PBT | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PCV | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |