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MBM29LV400BC-90PCV

更新时间： 2024-11-05 22:26:47

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富士通 - FUJITSU		/
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58页	560K
描述
4M (512K X 8/256K X 16) BIT

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MBM29LV400BC-90PCV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	PLASTIC, SOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.67	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	MINIMUM 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-C48	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSOC	封装等效代码：	TSSOC48,.4,16
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	9.5 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV400BC-90PCV 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20862-3E

FLASH MEMORY

CMOS

4M (512K × 8/256K × 16) BIT

MBM29LV400TC^-70/-90/-12/MBM29LV400BC^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and seven 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and seven 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically preprograms and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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MBM29LV400BC-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PFTN	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PFTR	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PW	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400T-10PN	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 100ns, PDSO46, PLASTIC, SON-46
MBM29LV400T-12PF	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29LV400T-12PFTN-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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