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MBM29LV400BC-70PCV

更新时间： 2024-11-05 05:22:27

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飞索 - SPANSION		存储
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58页	610K
描述
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT

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MBM29LV400BC-70PCV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	PLASTIC, CSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-C48
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSOC
封装等效代码：	TSSOC48,.4,16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	C BEND
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	9.5 mm
Base Number Matches：	1

MBM29LV400BC-70PCV 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20862-8E

FLASH MEMORY

CMOS

4M (512K × 8/256K × 16) BIT

MBM29LV400TC/BC^-55/70/90

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(1) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

48-ball SCSP (Package suffix: PW)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

55 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and seven 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and seven 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29LV400 TC/BC

Part No.

-55

-70

-90

+0.3 V

–0.3 V

+0.6 V

–0.3 V

Power Supply Voltage (V)

V^CC= 3.3 V

VCC = 3.0 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

12 3 4 5 6 7...58

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MBM29LV400BC-70PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
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