是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | PLASTIC, CSP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.67 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,7 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | BOTTOM |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 3.52 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV400BC-70 | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PBT | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PCV | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PCV | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PF | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PF | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PFTN | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400BC-70PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |