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MBM29LV400BC-70PFTN

更新时间： 2024-11-01 05:22:27

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
58页	610K
描述
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT

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MBM29LV400BC-70PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.57	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV400BC-70PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20862-8E

FLASH MEMORY

CMOS

4M (512K × 8/256K × 16) BIT

MBM29LV400TC/BC^-55/70/90

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(1) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

48-ball SCSP (Package suffix: PW)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

55 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and seven 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and seven 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29LV400 TC/BC

Part No.

-55

-70

-90

+0.3 V

–0.3 V

+0.6 V

–0.3 V

Power Supply Voltage (V)

V^CC= 3.3 V

VCC = 3.0 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

12 3 4 5 6 7...58

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MBM29LV400BC-70PFTN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
EN29LV400AB-70TIP	EON	功能相似	4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 V
MX29LV401BTI-70	Macronix	功能相似	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

与MBM29LV400BC-70PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV400BC-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-70PFTR	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-70PW	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-70PW	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PBGA48, PLASTIC, CSP-48
MBM29LV400BC-90	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PBT	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PCV	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PCV	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400BC-90PF	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT

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