Datasheet > MB84VF5F5F4J2-70PBS

MB84VF5F5F4J2-70PBS

更新时间： 2024-11-07 21:18:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	819K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MB84VF5F5F4J2-70PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LFBGA, BGA107,10X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.29
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	FCRAM IS CONFIGURED AS 2M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B107	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	107	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA107,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.048 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

MB84VF5F5F4J2-70PBS 数据手册

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MB84VF5F5F4J2-70PBS的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50402-2E

3 Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH & FLASH & FCRAM

CMOS

64M (×16) FLASH MEMORY &

32M (×16) Mobile FCRAM ^TM

MB84VF5F5F4J2^-70

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 V to 3.1 V

• High performance

70 ns maximum access time (Flash_1 or Flash_2)

65 ns maximum access time (FCRAM)

• Operating Temperature

–30 °C to +85 °C

• Package 107-ball FBGA

(Continued)

■ PRODUCT LINEUP

Flash_1 or Flash_2

FCRAM

VCCr* = 2.7 V to 3.1 V

Supply Voltage (V)

V^CCf_1*/VCCf_2* = 2.7 V to 3.1 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

*: All of VCCf_1, VCCf_2, and VCCr must be the same level when either part is being accessed.

■ PACKAGE

107-ball plastic FBGA

BGA-107P-M01

12 3 4 5 6 7...59

中文翻译

下载PDF

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB84VF5F5F4J2-70PBS-E1	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107
MB84VF5F5F5J2-70PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107
MB84VFAF5F5J1-70PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 6MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VP23481FK-70	SPANSION	获取价格	64M (X16) Page FLASH MEMORY & 32M (X16) Mobile FCRAMTM
MB84VP23481FK-70PBS	SPANSION	获取价格	64M (X16) Page FLASH MEMORY & 32M (X16) Mobile FCRAMTM
MB84VP24491HK	FUJITSU	获取价格	128M (X16) FLASH MEMORY 32M (X16) Mobile FCRAMTM
MB84VP24491HK-70	CYPRESS	获取价格	Memory IC,
MB84VP24491HK-70PBS	FUJITSU	获取价格	128M (X16) FLASH MEMORY 32M (X16) Mobile FCRAMTM
MB84VP24491HK-70PBS	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73
MB84VP24491HK-70PBS-E1	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB84VF5F5F4J2-70PBS

MB84VF5F5F4J2-70PBS 技术参数

MB84VF5F5F4J2-70PBS 数据手册

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关器件

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB84VF5F5F4J2-70PBS

MB84VF5F5F4J2-70PBS 技术参数

MB84VF5F5F4J2-70PBS 数据手册

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关器件

与MB84VF5F5F4J2-70PBS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？